SK하이닉스 3Q26 컨퍼런스콜
준비발언
솔리다임 IPO
- 솔리다임 프리 IPO·IPO 검토 중단 결정
- 금융시장 변동성과 반도체 업계 주가 조정 감안, 현 시점 IPO로 당초 기대 효과(외부 자본 활용을 통한 당사 투자 부담 완화) 충분히 달성 어렵다고 판단
- AI 데이터센터 스토리지 시장 경쟁력 강화·성장 기회 확보 지속 계획
- 솔리다임 투자·재원 조달은 솔리다임과 당사 기업가치·주주가치에 부합하는 방향으로 추진
전사 실적
- 6개 분기 연속 사상 최대 실적
- AI 메모리 수요 성장에 따른 타이트한 수급 지속, HBM·서버향 DRAM·엔터프라이즈 SSD 중심 가격 상승으로 DRAM·NAND 모두 전분기에 이어 높은 가격 상승률
- 매출 104.6조 (QoQ +32%, YoY +328%), 사상 처음 분기 매출 100조 돌파, 역대 최대
- 영업이익 83.3조 (QoQ +38%, YoY +632%), 역대 최대
- OPM 80% (QoQ +3%p), 역대 최대
- 감가상각비·무형자산상각비 4.3조, EBITDA 87.7조, EBITDA 마진율 84%
- 기타 영업외 항목: 외환 관련 손실 11.6조, 투자자산 평가 손실 22.9조, 전체 순 영업외비용 32.6조
- 법인세 차감 전 순이익 50.7조, 당기순이익 39.8조, 순이익률 38%
- 현금성 자산 114.5조 (QoQ +26.5조), 차입금 15.8조 (QoQ -2.8조), 순현금 98.7조
- 차입금 비율 5% (QoQ -2%p)
- 원화 강세에 따른 비우호적 환율 영향에도 가격 상승·고부가 제품 판매 확대로 달성
DRAM
- 출하 10% 수준↑ (계획대로), AI 서버향 중심
- HBM4 3Q부터 본격 양산·출하 확대
- 서버향 DDR5 판매량 QoQ 40% 이상↑
- ASP 20% 후반↑ (전분기와 비슷한 수준), 일반 DRAM 가격 강세와 이전 제품보다 가격 높은 HBM4 판매 비중 확대
NAND
- 출하 소폭↓ (QoQ), 321단 TLC 엔터프라이즈 SSD 등 고부가 제품 위주 판매 조정
- ASP 20% 중반↑, 가격 강세와 SSD 비중 확대
시장 전망
- 시장조사기관 전망 '27 글로벌 CSP CAPEX 성장률 60% 상회, 전력 확보량 전년 대비 100% 이상 확대
- 글로벌 AI 데이터센터 인프라 시장 2030년까지 연평균 40% 성장 예상
- 메모리 수요 성장세 당초 예상 크게 상회
- AI 인프라 투자 주체가 기업·국가로 확대, 일부 투자 조정 가능성 감안해도 성장세 견고 전망
- 단기 엔터프라이즈·퍼스널 AI가 수요 주도, 중장기 자율주행·로보틱스·피지컬 AI로 범위 확대
- PC·모바일은 가격 상승 원가 부담과 공급 부족으로 출하 감소, AI 인프라 수요가 상쇄해 전체 메모리 시장 성장 지속
- 공급 증가 속도가 수요 증가 속도에 못 미쳐 단기간 내 고객 요구 물량 충족 어려운 상황, 선단 공정 기술 난이도 상승·신규 생산시설 구축 리드타임 감안 시 공급이 수요에 못 미치는 환경 2030년까지 지속 전망
- '27 공급 감안 실현 가능 수요 성장률: DRAM 20% 중반, NAND 10% 후반 (올해와 유사한 수준)
- 우호적 시장 환경이 '27 실적 성장 뒷받침 기대, 확대되는 생산능력·고부가 제품 경쟁력 기반 매출·이익 절대규모 모두 한 단계 높은 성과 창출 계획
4Q 계획
- DRAM: 출하 QoQ 20% 중반↑ 예상, 1c 나노미터 공정 확대와 M15X 램프업을 통한 HBM4 생산 증가
- 일반 DRAM 서버향 1c 나노미터 제품 비중 빠르게 확대 중, 1c 나노미터 기반 DDR5와 AI 서버용 LPDDR5 소켓 확대, 고부가 서버향 포트폴리오 강화
- HBM4 12단 주요 고객 협의 일정대로 출하 중, M15X 램프업으로 연말 풀캐파 도달 계획
- 4Q HBM4가 HBM 출하·매출 비중 모두 HBM3E 상회, 주력 제품 예상
- 주요 고객과 '27 HBM 물량·가격 등 거래 조건 협의 완료, HBM4 제품 가치 반영
- HBM과 일반 DRAM 수익성 격차 유의미하게 축소 예상
- NAND: 321단 비중 4Q 캐파의 50% 이상으로 확대, 출하 QoQ 한 자릿수 중반↑ 예상
- KVC 계층화에 적합한 고성능·고용량 엔터프라이즈 SSD 공급 확대, 중장기 HBF·시스템 최적화 기술로 NAND를 AI 서비스 핵심 솔루션으로 육성
LTA
- 글로벌 대형 CSP 포함 주요 고객 14개 업체와 LTA 체결 완료
- 통상 5년 기본, 일부 고객과 계약기간 추가 연장 논의 선제 진행
- 가격은 협의한 범위 내에서 시장 상황 반영, 시장가격·제품가치 개선 시 반영할 수 있어 시장 개선 기회 함께 확보하는 구조, 예치금 등 이행장치 포함
- 확보 LTA 물량 '27·'28년 전체 캐파의 50% 이상
투자
- '27 투자 규모 전년 대비 상당한 증가 예상, 첨단 공정 확대·용인 1기 팹 램프업 장비 투자와 국내외 인프라 투자 본격화
- 투자 규모·집행 시점은 수요 가시성·제품 경쟁력·수익성·투자 효율성 종합 고려해 결정
주주환원
- 전략적 투자 성과 대부분을 주주와 나누는 것이 원칙
- 2026 회계연도 기준 약 100조 주주환원 추진
- 현금 배당 30조 이상, 자사주 매입·소각 8월 발표 40조 포함 총 60조 이상
- 지난주 매입 완료한 자사주 40조 곧 소각 예정
- FCF 50% 이상 환원 약속 이행
- 금일 이사회: 현금 배당 14조, 자사주 매입 20조 결의
- 자사주 20조 중 임직원 보상용 약 10조 예상, 제외 시 3Q 주주환원 약 24조
- 3Q 배당 주당 2만원, 총 14조 (실적 개선 반영 1만원 + 키옥시아 투자 성과 특별 배당 1만원)
- 키옥시아 투자 수익 대부분 특별 배당으로 환원, 일부 이번 분기 지급·나머지는 '26 결산 확정 후 결산 배당에 포함
- 자사주 매입 매 분기 지속, 분기별 규모는 주가·시장 상황·현금 흐름 고려해 이사회 결정
- 자사주 20조 중 주주환원 목적 10조 전량 소각, 임직원 보상 목적 10조는 100조에 불포함
Q&A
Q1. AI 투자 모멘텀 지속 판단의 핵심 근거 (씨티그룹)
→ 근거 2가지: 고객 AI 사업 성과 확인(주요 하이퍼스케일러 고객 클라우드 매출 YoY 약 30~80% 성장, 클라우드 수주잔고 YoY 약 2~5배↑, AI 유료 사용자 증가), 투자 주체 다변화(일반 기업·소버린 AI·온프레미스)
→ 투자 속도 조절은 고객이 프로젝트 실행 가능성·수익성 점검하며 시점·속도 구체화하는 과정, 메모리 구조적 수급 불균형 당분간 지속 전망
Q2. 주주환원 내 배당과 자기주식 매입 비중 배분 기준 (메리츠증권)
→ 현금 배당 먼저 결정 후 나머지를 자사주 매입으로 배정, 현금 배당은 과거 배당수익률·글로벌 주요 성장 기업 배당수익률·적정 보유 현금 수준 종합 고려해 안정적 지속 가능 수준으로 결정
→ 주가가 이익·현금흐름 반영 못 하는 저평가로 판단, 연간 매입 규모 내 매 분기 지속 매입, 분기별 규모는 주가 수준·밸류에이션·현금흐름 고려해 이사회 결정
Q3. 확보 LTA 물량 기준 중장기 실적 방향성과 추가 성장 여력 (골드만삭스)
→ 확보 LTA 물량과 협의 중 수요 종합 시 향후 3년(2029년까지) DRAM·HBM 물량 사실상 모두 솔드아웃, 협의 중 물량도 고객 구체 구매계획 기반으로 실현 가능성 높아 중장기 판매 가시성 상당히 높아짐
→ 중장기 LTA 비중도 '27·'28 수준(50% 이상)과 유사하게 운영 계획, LTA 외 물량은 시장·차세대 제품 수요 유연 대응에 활용
Q4. 과잉 생산 가능성 대응 전략 (뱅크오브아메리카)
→ 투자·신규 팹 증가에 비례한 공급 증가는 아님, 기술 전환·고부가 제품 확대에 필요한 생산 기반 확보 투자, 집행은 단계적(기반 인프라 선제 준비, 장비 반입·양산 확대 등 공급 직결 자원은 수요에 따라 조정), 용인 클러스터·M17 신규 팹은 건물 골조 일정 앞당기되 클린룸은 페이즈별 오픈
→ 고객 CAPEX·수요 전망 외 고객 재무건전성·자금 조달 여력·주요 공급망 준비도 점검, 중장기 순현금 목표·적정 현금 수준 고려한 재무여력 유지하며 수요 가시성·투자 수익성 기준으로 투자 규모·속도 관리, 예상과 다른 상황 시 투자 집행·생산 계획·리소스 배분 유연 조정
Q5. HBM4 공급 진행 상황과 HBM4E·커스텀 HBM 준비 현황
→ 4Q HBM4 출하 물량·매출 비중 모두 HBM3 크로스오버 예상, 양산 차질 없고 수율 안정적, FAB·백엔드 수율 업계 최상위(백엔드는 전체 공정 기준), HBM4 수율 계획 상회해 목표 상향, HBM3도 성숙 수율 초과 달성
→ HBM4E 2Q 샘플 공급 완료, 고객 일정에 맞춰 개발·평가 순조, 주요 고객과 관련 프로젝트 긴밀 추진, 커스텀 HBM 별도 언급 없음
Q6. 일부 고객의 HBM 사양 조정(적층 단수 하향)의 영향 (SK증권)
→ 수요가 공급을 압도하는 사례, 고객이 동일 용량 기준 큐브 수 늘리려는 전략, HBM4 12단→8단 조정돼도 다이당 용량↑로 영향 상당 부분 보완 가능, 공급 영향 없음, 중장기 HBM 수요 전망 변화 없음
→ 고객 요청 물량 공급 가능 물량의 2배 상회, 출하 물량·일정 차질 없음(큐브·베이스 다이·후공정 소요 증가분 생산계획 반영), 수익성은 적층 단수만으로 판단 불가, 내년 HBM 매출·이익 올해 대비 큰 폭 성장·수익성 유의미 개선 전망
Q7. 4F2 등 차세대 DRAM 기술 전략과 개발 방향
→ 당장은 양산 안정성·원가 경쟁력 검증된 6F2 플랫폼 최대 활용이 가장 효율적, 이후 4F2·3D DRAM 전환 기술 개발 진행
→ 기술 구현과 상용화 시점은 구분, 극한 미세화부터 4F2·3D DRAM까지 단계별 로드맵 준비해 완성도·경제성 확보 시점에 적합한 제품에 적용
Q8. KV 캐시 증가가 NAND 수요에 미칠 영향과 대응 준비 (NH투자증권)
→ HBM·DRAM·SSD 계층형 메모리 구조 중요성↑, NAND의 새로운 수요 기회 기대, SSD 일부 AI 시스템 KV 캐시 오프로드에 활용 중, 향후 여러 서버·GPU가 대규모 KV 캐시 공유하는 컨텍스트 메모리 계층으로 역할 확대 전망
→ 대응: 메모리 계층화 기술 개발, AI 워크로드 기반 시스템 시연으로 eSSD 적용 영역·요구 성능 구체화, 중장기 HBF로 HBM·SSD 사이 새 메모리 계층 대응